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更新時間：2024-08-19
廠商性質：生產廠家
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高溫高壓光學浮區(qū)爐
高溫高壓光學浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔可zui大壓力可達300Bar，甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
豎直雙鏡設計，采用高照度短弧氙燈
熔區(qū)溫度：zui高>3000℃
熔區(qū)壓力：10-5 mbar 至 300 bar
多路獨立氣體流量和氣壓控制
豐富的可升級選件
耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、 由德國弗勞恩霍夫應用光學和精密工程研究所優(yōu)化設計的高反射 拆裝簡便、帶樣品污染保護的石英樣品腔 率鏡面，鏡體位置和角度可由高精度步進馬達控制調節(jié)
| 主要技術參數(shù)： |
熔區(qū)溫度 | zui高2000 - 3000℃以上 |
熔區(qū)壓力 | zui大10、50、100、150、300 bar可選 |
熔區(qū)真空 | 1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選 |
熔區(qū)氣氛 | Ar、O2、N2等可選 |
氣體流量 | 0.25 – 1 L/min流量可控 |
氙燈功率 | 3kW 至 15kW可選 |
料棒臺尺寸 | 6.8mm 或 9.8mm可選 |
拉伸速率 | 0.1-200 mm/h |
調節(jié)速率 | 0.6 mm/s |
拉伸尺寸 | zui大195mm |
旋轉速率 | 0-150 rpm |
用電功率 | 400V三相 63A 50Hz |
水冷功率 | 大于8kW |
主機尺寸 | 302cm*163cm*92cm |
